Photomask에서 빛을 흡수하는 재료로, 크로뮴(Chromium), 알루미늄(Aluminum), 철산화물(Iron Oxide) 등이 사용됩니다.
Photomask가 설계된 특정 파장의 빛입니다. 예: 193nm (ArF DUV), 248nm (KrF DUV) 등.
디자인 데이터를 mask 데이터로 나누는 그리드 크기입니다.
두 가지 톤(불투명과 투명)만으로 구성된 마스크로, 대부분의 Photomask는 이 형식입니다.
도형을 결합하거나 교차시키는 수학적 연산입니다. AND, OR, XOR, NOT 등이 있습니다.
Photomask에서 가장 중요한 치수로, 가장 정밀하게 만들어야 하는 부분입니다.
CD 타겟에서 허용되는 최대 치수 차이입니다.
전체 마스크에서 CD 차이의 범위로, 최대와 최소 사이의 차이를 의미합니다.
패턴이 substrate에 얼마나 잘 맞춰져 있는지 측정하는 값입니다.
Photomask에서 가장 널리 사용되는 흡수 재료로, 크로뮴과 크로뮴 산화물 층이 결합된 형태입니다.
Photomask에서 크로뮴이 상단에 있을 때는 “Chrome-Up”, 하단에 있을 때는 “Chrome-Down”이라고 부릅니다.
제조 과정에서 패턴의 이동이 없었는지 확인하는 품질 검사입니다.
설계 데이터를 제조에 맞게 준비하는 과정입니다. 데이터 형식 변환, 크기 조정, 회전, 이동 등의 작업을 포함합니다.
Photomask에서 발생할 수 있는 결함으로, 패턴에 영향을 미치는 모든 문제를 의미합니다.
Photomask에서 가장 작은 설계 단위로, 하나의 디바이스를 나타냅니다. 웨이퍼에 여러 개의 Die가 배열됩니다.
Mask 설계에서 폴리곤 내에 포함된 디지털 데이터를 의미합니다. 실제로 노출될 패턴은 이 디지털 데이터에 의해 결정됩니다.
Photomask에서 패턴을 실제로 형성하는 과정으로, 화학적 혹은 플라즈마를 이용해 흡수층을 제거합니다. 이 과정은 패턴을 정확히 만들기 위해 중요합니다.
마스크에서 사용하는 기본적인 패턴 형태로, 선(line)이나 접촉점(contact)이 일반적입니다.
마스크 외부의 정렬 마크들로, 웨이퍼 제조 공정에서 정확한 위치 맞춤을 돕습니다.
Photomask의 표면이 얼마나 평평한지 측정하는 값입니다. 평평도가 높으면 패턴의 왜곡이 적습니다.
평판 디스플레이 제조에 사용되는 마스크로, 매우 큰 크기를 가집니다. 일반적인 마스크보다 훨씬 더 큰 크기가 필요합니다.
설계된 도형을 Pattern Generator가 읽을 수 있도록 변환하는 과정입니다. 도형을 더 간단한 형태로 바꾸어 패턴 생성에 적합하게 만듭니다.
Photomask의 기본적인 패턴을 포함하는 직각형의 틀입니다. 이는 주로 웨이퍼에서 칩을 자르는 데 사용됩니다.
업계 표준인 설계 데이터 형식으로, 마스크 설계 데이터 파일을 저장하는 데 사용됩니다.
Photomask의 결함을 검사하는 과정으로, 디지털 검사, 시각적 검사, 빛 산란 검사가 포함됩니다.
Pattern Generator에서 패턴을 배치하는 방법을 정의하는 제어 파일입니다.
Photomask의 설계에서 여러 레이어와 데이터 유형이 어떻게 매핑되는지 나타냅니다.
전자 회로 설계에서 실제 물리적 형태로 변환되는 추상적인 설계를 말합니다.
축에 평행하거나 직각인 데이터 형식으로, Photomask에서 가장 많이 사용됩니다.
패턴 제너레이터에서 사용하는 그리드로, 설계된 데이터를 이 그리드에 맞게 조정해야 합니다.
Photomask 제작 시 필요한 중요한 세부사항을 담은 양식입니다. 이 양식에 설계와 관련된 세부사항을 기입해야 합니다.
GDS-II의 후속 형식으로, 파일 크기를 90%까지 줄여줍니다.
Photomask에서 빛의 투과 정도를 나타내는 값으로, 높을수록 더 많은 빛을 차단합니다.
빛의 위상을 변화시켜 해상도를 높이는 특수한 종류의 Photomask입니다.
Photomask 해상도를 높이기 위해 사용되는 기술로, Phase-Shift Mask나 OPC가 포함됩니다.
Etch 과정에서 발생하는 크기 변화를 미리 고려하여 데이터를 조정하는 과정입니다.
매우 작은 크기의 미세 패턴으로, 일부 제조 공정에서는 해상도가 부족해 완벽하게 인쇄되지 않을 수 있습니다.
저비용의 유리 기판으로, UV에서 낮은 투과율을 가집니다.
설계 파일을 마스크 제작에 보내는 과정입니다. 과거에는 마그네틱 테이프를 사용했으나 현재는 디지털 파일을 사용합니다.
마스크의 두 가지 톤으로, 불투명(어두운)과 투명(밝은)이 있습니다. 이는 설계 시 지정되어야 합니다.
Mask 설계에서 최상위 셀로, 모든 하위 셀을 포함하여 최종 마스크를 제작하는 데 사용됩니다.
원본 데이터를 거울처럼 반전시킨 이미지입니다. Parity와 관련이 있습니다.
두 번의 리소그래피 단계로 복잡한 패턴을 구현하는 기술입니다. 이 기술은 마스크 설계를 단순화시킵니다.
균등한 패턴 로딩을 위해 설계에 추가되는 불필요한 채워진 공간입니다.
13.5nm 파장의 빛을 사용하여 높은 해상도를 제공하는 리소그래피 기술입니다.
해상도 한계로 인해 작은 특징을 구별할 수 없는 경우에도 집합적 효과를 이용해 패턴을 형성하는 기술입니다.
해상도를 높이기 위해 렌즈와 웨이퍼 사이에 물을 사용하는 기술입니다.
작은 특징에서 발생하는 비선형 회절 효과를 보정하는 기술입니다.
빛의 위상을 변화시켜 해상도를 높이는 Photomask입니다.
마스크의 이미지가 원본 디자인과 일치하는지, 반전된 이미지를 사용할 것인지를 정의합니다.
패턴 제너레이터는 Photomask 설계 데이터를 이용하여 마스크에 패턴을 노출시키는 장비입니다.
Photomask에 먼지와 입자가 닿지 않도록 보호하는 얇은 막입니다.
빛에 반응하는 화학 물질로, 노출된 부분은 제거되고 남은 부분은 패턴을 형성합니다.
Photomask에서 정의되는 두 가지 톤을 지정하는 값입니다.
여러 선분이 연결되어 닫힌 도형을 형성하는 구조로, AutoCAD에서 “폴리라인”으로 그려야 합니다.
주로 Photomask 기판으로 사용되는 합성 실리카로, 뛰어난 광학적 특성을 가집니다.
Photomask의 크기를 조정하는 비율로, 1X, 4X, 5X가 있습니다.
패턴의 정확한 위치를 유지하기 위한 정렬 정확도를 측정하는 지표입니다.
hotomask의 한 종류로, 주로 4X 또는 5X 스텝퍼에서 사용됩니다.
해상도가 부족한 작은 패턴을 의미하며, 일부 공정에서 문제가 될 수 있습니다.
마스크에 추가되는 정렬용 마크로, 정확한 패턴 전사를 돕습니다.
Etch 과정에서 크기나 위치에 영향을 미치는 조정입니다.
작은 패턴이 해상도 한계 때문에 제대로 형성되지 않는 경우 발생하는 문제입니다.
