전문가 설계 지원이 필요한 이유

반도체 · MEMS 미세 패턴은 포토마스크 파라미터와의 연계 시,
전문 설계 보정과 사전 지원이 큰 도움이 됩니다.

포토마스크 제조 관점

포토마스크는 다변수 고난도 공정입니다.

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반도체 · MEMS 패턴 공정 관점

포토마스크 설계 단계의 선제적 최적화가
품질과 수율을 좌우합니다.

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Photomask Manufacturing

고난도 다변수 마스크 설계의 16가지 핵심 요소

01

기판 재료

마스크의 물리적 기반을 선택합니다.

02

해상도 및 CD

마스크의 정밀도와 선명도를 정의합니다.

03

해상도 향상 기술

마스크의 해상도를 향상시키는 고급 기술을 구현합니다.

04

데이터 처리

마스크 데이터를 효율적으로 관리하고 최적화합니다.

05

스케일 및 여유 영역

마스크의 크기와 여유 공간을 계획합니다.

06

패턴 반전

마스크 패턴의 톤을 조정합니다.

07

정렬 및 레이블링

마스크의 정확한 정렬과 식별을 보장합니다.

08

펠리클 효과

펠리클이 광학 성능에 미치는 영향을 고려합니다.

09

스냅 오류

레이아웃-투-그리드 프로세스에서 오류를 관리합니다.

10

그리드 설정

데이터 정확도를 위해 그리드 해상도를 최적화합니다.

11

빔 주소

전자빔 마스크 작성기의 정확한 위치를 보장합니다.

12

크기 조정 및 바이어스

에칭 및 광학 근접 효과를 보정합니다.

13

분할 매개변수

마스크 패턴을 효율적으로 분할합니다.

14

가장자리 거칠기 제어

가장자리를 부드럽게 하기 위해 데이터 처리 기술을 적용합니다.

15

마스크 작성 선량

전자빔 노출에서 균일성을 유지합니다.

16

결함 검사

결함을 식별하고 수정합니다.

Semiconductor & MEMS Process

공정 최적화를 위한 15가지 핵심 설계 요소

01

특수 패턴 설계

MEMS 테스트 구조 및 포토닉 구조 설계

02

단면 DRIE

Bosch 공정에서 단면 형상 설계

03

레이아웃 계층 구조

편집 용이성을 위한 계층적 설계

04

MEEF 관리

기술 노드별 MEEF 최소화

05

톤 및 반전 설계

Boolean 연산 및 톤 반전

06

Aspect Ratio Constraints

MEMS 구조물의 깊이 대 폭 비율 제한

07

Release Etch Window

MEMS sacrificial layer 제거를 위한 위치 고려

08

Mechanical Stress

웨이퍼 스트레스 균형에 대한 마스크 설계 영향

09

Multi-layer Alignment

다층 구조 overlay 정밀도 관리

10

Exposure Dose Variation

스캐너에서 Dose non-uniformity 영향

11

Etching Selectivity

PR vs Oxide vs Metal selective ratio 고려

12

Surface Roughness

DRIE에서 발생하는 sidewall taper

13

CMP Dummy Patterns

CMP 공정 균일성 확보용 dummy fill

14

Process Window Verification

LER / LWR 포함한 시뮬레이션 기반 검증

15

Thermal & Optical Effects

MEMS 구조물의 열적 안정성 및 광학 효과

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